| 摘要 |
半导体装置，具有多层布线构造，此多层布线构造包含有：第一层间绝缘膜；及第二层间绝缘膜，其具有比前述第一层间绝缘膜还大之硬度及弹性模数，且，形成在前述第一层间绝缘膜上。本半导体装置之制造包含有：保护膜形成工程，其系隔着反射防止膜而形成在前述第二层间绝缘膜上；保护层图案形成工程，其系将前述保护膜露光及显像以形成保护层图案；及图案形成工程，其将前述保护层图案作为遮罩，图案形成(patterning)前述反射防止膜及前述多层布线构造。此时，使用一种用来储存无应力或压缩应力之膜，以作为前述反射防止膜。 |
