| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种可细微化的非挥发性半导体记忆装置及其制造方法。该非挥发性半导体记忆装置之制造方法，系包含：形成用以覆盖积层体(100)与侧壁绝缘膜(38)，且具有与主表面(1f)大致平行之顶面(41t)之层间绝缘膜(41)的步骤；在层间绝缘膜(41)之顶面(41t)上形成作为遮罩层之光阻图案(42)的步骤；藉由以光阻图案(42)作为遮罩来选择性地蚀刻层间绝缘膜(41)，并以位于相邻积层体(100)上所形成之侧壁绝缘膜(38)之间的方式，在层间绝缘膜(41)上形成沟(41h)作为开口部的步骤；以及藉由从沟(41h)对主表面(1f)植入杂质离子，以形成沿着复数个浮动闸电极(8)而延伸之源极区域(43)的步骤。 |
