| 主权项 |
1.一种雷射装置,其包含:一雷射晶片,其系一面射型雷射元件;及一光绕射元件,系配置于该雷射晶片之一雷射光出射端,其中该光绕射元件包含复数阶光绕射单元晶格。2.如专利申请范围第1项之雷射装置,其中该雷射晶片包含:一基板;一N型布拉格反射镜,系位于该基板之上;一P型布拉格反射镜;一量子井结构,系位于该N型布拉格反射镜与该P型布拉格反射镜之间;一雷射光出射端,系位于该P型布拉格反射镜之上;及一对欧姆接触电极,位于该雷射光出射端之两端。3.如专利申请范围第2项之雷射装置,其中形成该雷射晶片之基板系选自于由下列群组中之材料所构成:蓝宝石、碳化矽、氧化锌、玻璃、氮化镓与氮化铝。4.如专利申请范围第2项之雷射装置,其中该布拉格反射镜系为P型与N型之三五族元素所构成之任何一种化合物。5.如专利申请范围第1项之雷射装置,其中该雷射晶片之发光波长不大于670nm。6.如专利申请范围第2项之雷射装置,其中该欧姆接触电极系为Au/Zn之合金。7.如专利申请范围第2项之雷射装置,其中该量子井结构系为Ga0.443In0.557P以及(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P交错形成。8.如专利申请范围第7项之雷射装置,其中该量子井结构之厚度系介于5.0 nm-10nm。9.如专利申请范围第11项之雷射装置,其中该量子井个数不大于5。10.如专利申请范围第11项之雷射装置,其中该雷射晶片之低折射率层与高折射率层之材料分别为Al0.5In0.5 P与(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P。11.如专利申请范围第2项之雷射装置,其中该布拉格反射镜之低折射率层与高折射率层之折射率分别介于3-3.6之间。12.如专利申请范围第11项之雷射装置,其中该布拉格反射镜之厚度介于40nm-50nm之间。13.如专利申请范围第1项之雷射装置,其中该光绕射元件系为P型与N型之三五族元素所构成之任何一种化合物。14.如专利申请范围第15项之雷射装置,其中该光绕射元件之组成材料系为GaP。15.如专利申请范围第1项之雷射装置,其中该光绕射元件之厚度不大于5um。16.如专利申请范围第1项之之雷射装置,其中该光绕射单元晶格之数目系具有2的整数倍阶数。17.如专利申请范围第1项之之雷射装置,其中该光绕射元件系用于分散为复数束不同方向与角度之雷射光以达到能量均匀分布。18.如专利申请范围第1项之之雷射装置,其中该光绕射元件之绕射角度不大于90度。19.如专利申请范围第1项之之雷射装置,其中形成该光绕射元件之基板系为玻璃基板、铟锡氧化物厚膜与透明光阻中之一种材料。20.如专利申请范围第1项之之雷射装置,其中该光绕射元件以微机电制程所制作。图式简单说明:第1图显示为本发明所揭示之雷射装置;第2图显示为第1图中之雷射晶片元件100;第3图显示为配置于该雷射晶片上之光绕射元件;以及第4图显示为光绕射元件之设计流程。 |
