| 主权项 |
1.一种由矽制造半导体晶圆之方法,在该方法中,该 半导体晶圆连同许多半导体晶圆,系在有经由钢丝 -导引辊之沟槽内运转之钢丝锯钢丝存在之情况下 ,自单晶体锯割而成,其特征为由钢丝锯锯割成半 导体晶圆系用以制造半导体晶圆之唯一机械加工 步骤,该锯钢丝通过钢丝-导引辊之沟槽内且该等 沟槽系沿轴向各自隔开,相邻两沟槽间之间隔自钢 丝-导引辊一端至钢丝-导引辊对面一端逐渐减小; 及自单晶体分开之许多半导体晶圆具有之厚度分 布为至多10微米,以一次钢丝锯之切割量为基准。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中自单晶体分开 之半导体晶圆系加以蚀刻,且蚀刻作用系用以增加 半导体晶圆光泽度之方法中仅有之加工步骤。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中自单晶体分开 之半导体晶圆系加以蚀刻并随后加以清洗,且蚀刻 作用及清洗工作系用以增加半导体晶圆光泽度之 方法中仅有之加工步骤。 4.一种如申请专利范围第1、2或3项之方法所制造 之半导体晶圆,系由区域-抽拉之矽所组成且系用 作制作电力电子元件之主要材料。 图式简单说明: 第一图A:示方法A之厚度分布情形,特征为沟槽间隔 为等距离。 第一图B:示方法B之厚度分布情形,不同者为沟槽间 隔之距离不同。 |
