| 摘要 |
由于薄膜电晶体的短通道效应大约在通道长度小于10um以下就开始出现，加上在电晶体关闭时会有相当大的异常漏电流，导致于无法完全关闭，造成开关对比不佳。本发明特别针对以上缺点，提出一种新颖性T型闸极薄膜电晶体，以改进汲极高电场与异常漏电流的问题，发明中，将闸极电极利用制程的技术，制作出一T型的外型，闸极氧化层在中间的部分的较薄，具备了较佳的电流驱动力；靠汲极端的氧化层较厚，可以承受因汲极端的高电场所造成的热载子效应所引发对闸极氧化层的破坏，所以此结构也具有如同厚闸极氧化层的高可靠度，此外若以场激发汲极(FID)薄膜电晶体的观点来看此结构，厚闸极氧化层的通道导通之后，少数载子到厚闸极氧化层下，整个电晶体才会开始导通，若将厚闸极的电场所形成通道视为汲极，此汲极如同浅掺杂汲极，整个电晶体可以视为一(LDD)薄膜电晶体，因此T型闸极薄膜电晶体的横向电场可以较一般的薄膜电晶体低，综合以上所言，T型闸极薄膜电晶体具有低横向电场、高可靠度、低异常漏电流、高电流驱动能力、通道与电场形成的汲极区的介面不会有离子布值所造成的缺陷等优点，本发明所提出的新颖性T型闸极薄膜电晶体之制程方法，将有潜力取代成为未来的薄膜电晶体的主流。 |
