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发明名称 Komplementäre Feldeffekttransistorstruktur.
摘要
申请公布号 DE3854677(T2) 申请公布日期 1996.07.04
申请号 DE19883854677T 申请日期 1988.03.24
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 ISHIJIMA, TOSHIYUKI, MINATO-KU TOKYO, JP
分类号 H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/092;H01L27/105;H01L27/11;(IPC1-7):H01L27/08;H01L21/82;G11C11/40;H01L21/76;H01L23/52 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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