| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 用激光照射局部形成可以被认为是单晶体的区域106，并用这些区域至少构成沟道形区域112。通过具有这种结构的薄膜晶体管，就能得到与利用单晶体构成的薄膜晶体管类似的特性。此外，通过并联连接多个这样的薄膜晶体管，就能得到实际上与沟道宽度增加的单晶体薄膜晶体管相同的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1125901A | 申请公布日期 | 1996.07.03 |
| 申请号 | CN95109812.8 | 申请日期 | 1995.08.18 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;寺本聪 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/324 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 董江雄;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，它利用了形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜硅半导体，其中该薄膜硅半导体具有一个可以被认为实际上是单晶体的区域，该区域构成至少一部分有源层，以及该区域包含浓度在1×1016cm-3和5×1018c-3之间的碳和氮原子，浓度在1×1017cm-3和5×1019cm-3之间的氧原子，和浓度在1×1017cm-3和5×1020cm-3之间的氢原子，氢原子中和硅中不成对的键。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||