| 发明名称 |
Method of fabrication of a semiconductor device with graded junction region |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0400934(B1) |
申请公布日期 |
1996.07.03 |
| 申请号 |
EP19900305768 |
申请日期 |
1990.05.25 |
| 申请人 |
HARRIS CORPORATION |
发明人 |
ARTHUR, STEPHEN DALEY;TEMPLE, VICTOR ALBERT KEITH |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/033;H01L21/225;H01L21/266;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/74;(IPC1-7):H01L29/36 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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