| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Verminderung der Spannungsabhängigkeit einer MOS-Kapazität, die von einem Gate-Anschluß, einem Gateoxid und einem Substrat eines MOS-Transistors gebildet wird. Es ist vorgesehen, daß wenigstens zwei MOS-Transistoren (10) in Reihe geschaltet sind und die miteinander verbundenen Anschlüsse (54, 56) der MOS-Transistoren (10) kurzzeitig auf ein gemeinsames Anfangspotential (U0) gelegt sind, das so groß gewählt ist, daß die MOS-Kapazitäten (34) im wesentlichen ausschließlich von dem Gateoxid (32) bestimmt werden. <IMAGE></p> |
