半导体激光器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且窗口区域中的光强分布在垂直于半导体基底表面的方向上要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。

主权项

1、一种半导体激光器，包括按照顺序形成于半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该窗口区域包括在所述有源层中的量子阱层和与所述有源层相邻的层在垂直于所述半导体基底的表面的发光端面附近被混晶化的部分，其中所述下包层具有比所述上包层高的折射率，并且所述窗口区域中的光强分布在垂直于所述半导体基底表面的方向上比在增益区域中的光强分布扩展得更宽。