| 发明名称 |
Halfgeleidergeheugeninrichting, omvattende MOS-veldeffekttransistors met een n-type kanaal. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
NL191768(C) |
申请公布日期 |
1996.07.02 |
| 申请号 |
NL19780010929 |
申请日期 |
1978.11.02 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C11/401;G11C11/35;G11C11/404;H01L21/339;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/762;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/108;H01L29/38 |
主分类号 |
G11C11/401 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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