| 主权项 |
1. 一种具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法,适用于半导体基板制作光罩式唯读记忆体,且对上述光罩式唯读记忆体的记忆单元掺植编码成第一状态及第二状态,又上述光罩式唯读记忆体包括形成于上述半导体基板的位元线,形成于上述半导体基板及位元线上的闸极氧化物以及形成于上述闸极氧化物上而构成上述记忆单元的字元线,而上述具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法包括下列步骤:于上述半导体基板上形成上述闸极氧化物;于上述半导体基板之欲形成上述位元线之间的闸极氧化物上形成第一导电,且于上述第一导电层上形成遮蔽物;以上述遮蔽物为罩幕,植入杂质至上述半导体基板,而形成上述位元线;以上述遮蔽物为液相选择性沈积罩幕,将氧化物沈积于上述第一导电层之间的闸极氧化物上,且上述氧化物的厚度大于上述第一导电层的厚度;去除上述遮蔽物;于上述第一导电层及氧化物上形成第二导电层;对上述第二导电层及第一导电层进行蚀刻,而形成上述字元线,且上述字元线之位于上述氧化物之间形成有凹槽;以及对上述记忆单元中欲形成第一状态者经由上述凹槽植入杂质而使之形成第一状态,而其他记忆单元则形成第二步骤。2. 如申请专利范围第1项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法,其中,更包括于上述氧化物的侧边形成边墙间隔物的步骤。3. 如申请专利范围第2项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法,其中,上述边墙间隔物由氧化物形成。4. 如申请专利范围第2项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法,其中,上述边墙间隔物由氮化物形成。5. 如申请专利范围第1.2.3或4项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法,其中,上述第一导电层及第二导电层由复晶矽形成。6. 如申请专利范围第5项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法,其中,上述第一状态为不导电状态,而上述第二状态为导道状态。7. 如申请专利范围第1.2.3或4项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法,其中,上述第一导电层由复晶矽形成,而上述第二导电层由金属的矽化物形成。8. 如申请专利范围第7项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的制造方法,其中,上述第一状态为不导通状态,而上述第二状态为导通状态。图示简单说明:第1图系显示用以说明习知光罩式唯读记忆体的制造方法的上视示意图;第2图系显示沿着第1图中Ⅱ—Ⅱ线所取的剖面图;第3图系显示沿着第1图中Ⅲ—Ⅲ线所取的剖面图;第4图系显示液相选择性沈积之装置的示意图;第5图系显示依据本发明所制造者的上视示意图;以及第6图系显示沿着第5图中Ⅳ—Ⅳ线所取之用以说明本发明 |
