| 主权项 |
1. 一种低供应电压之负性充电泵,其用以在快闪抹除期间经由一连串快闪EEPROM记忆单元之字线,生成较高负电压,以控制经选定记忆单元之闸极,该负性充电泵包括:用以生成许多时钟信号之时钟构件;易感应于外部电源供应电位及该等时钟信号以生成较高负电压之充电泵构件(210);该充电泵构件由多个充电泵段(201-206)所构成;易感应于该等时钟信号并耦合于各充电泵段以传送该等时钟信号至该多个充电泵段之耦合电容器构件(C201-C212);及各个该等充电泵段由N-通道本质传送电晶体(N1-N6),N-通道本质初始电晶体(MD1-MD6),及N-通道本质预充电电晶体(MX3-MX7,MX1)所构成。2. 如申请专利范围第1项的低供应电压之负性充电泵,各该N-通道本质电晶体(N1-N6; MD1-MD6; MX3-MX7, MX1)包含:形成于p型井区(132)中之n型源极区(134)及n型汲极区(136)以及设置于该p型井区之顶部表面及多晶矽闸极(140)之间之闸极氧化层(138),该p型井区系设置于在p型基质(128)之内之n型井区(130)中。3. 如申请专利范围第2项的低供应电压之负性充电泵,其中于该第一,第二及第三充电泵段中,该N-通道本质传送电晶体(N1-N3),本质初始电晶体(MD1-MD3)以及本质预充电电晶体(MX3-MX5)系形成于连接于p型井部连接区(VPW0)之第一个别之p型井部中,俾便减小本体效应。4.如申请专利范围第3项的低供应电压之负性充电泵,其中于该第四、第五及第六泵段中,该N-通道本质传送电晶体(N4-N6),本质初始电晶体(MD4-MD6),及本质预充电电晶体(MX6, MX7, MX1)系形成于连接于一p型井部连接区(VPW1)之第二个别之p型井部中,俾便减小本体效应。5. 如申请专利范围第1项的低供应电压之负性充电泵,其中该外部正电位约为+3.0伏特或+3.0伏特以下。6.如申请专利范围第1项的低供应电压之负性充电泵,其中该较高负电压约为-9.5伏特。7. 如申请专利范围第1项的低供应电压之负性充电泵,其中该耦合电容器构件系由多个聚积电容器所构成。8. 如申请专利范围第7项的低供应电压之负性充电泵,其中各聚积电容器系由p型井部电容器所构成。9. 如申请专利范围第8项的低供应电压之负性充电泵,其中该p型井部电容器包含:形成于在n型井区(112)之内之p型井区(114)中之一对P+电极区(116,118),及设置在该p型井区之顶部表面及多晶矽闸极(122)之间之闸极氧化层(120),该n型井区系设置于p型基质(110)中。10. 如申请专利范围第2项的低供应电压之负性充电泵,其中于该第一至第六泵段中,该N-通道本质传送电晶体,本质初始电晶体,及本质预充电电晶体系形成于其自身之个别之p型井部中,俾便减小本体效应。11. 一种低供应电压之负性充电泵,其用以在快闪抹除期间经由一连串快闪EEPROM记忆单元之字线,生成较高负电压,以控制经选定记忆单元之闸极,该负性充电泵包括:易感应于外部电源供应电位及时钟信号以生成较高负电压之充电泵构件(210);由多个充电泵段(201-206)所构成之该充电泵构件;易感应于该等时钟信号并耦合于各充电泵段以传送该等时钟信号至该等充电泵段之耦合电容器构件(C201-C212);及各该充电泵段由N-通道本质传送电晶体(N1-N6),N-通道本质初始电晶体(MD1-MD6),及N-通道本质预充电电晶体(MX3-MX7,MX1)所构成。12. 如申请专利范围第11项的低供应电压之负性充电泵,各该N-通道本质电晶体(N1-N6;MD1-MD6;MX3-MX7,MX1)包含:形成于p型井区(132)中之n型源极区(134)及n型汲极区(136)以及设置于该p型井区之顶部表面及多晶矽闸极(140)之间之闸极氧化层(138),该p型井区系设置于在p型基质(128)之内之n型井区(130)中。13. 如申请专利范围第12项的低供应电压之负性充电泵,其中于该第一,第二及第三充电泵段中,该N-通道本质传送电晶体(N1-N3),本质初始电晶体(MD1-MD3)以及本质预充电电晶体(MX3-MX5)系形成于连接于p型井部连接区(VPW0)之第一个别之p型井部中,俾便减小本体效应。14. 如申请专利范围第13项的低供应电压之负性充电泵,其中于该第四、第五及第六泵段中,该N-通道本质传送电晶体(N4-N6),本质初始电晶体(MD4-M6),及本质预充电电晶体(MX6,MX7,MX1)系形成于连接于p型井部连接区(VPW1)之第二个别之p型井部中,俾便减小本体效应。15. 如申请专利范围第11项的低供应电压之负性充电泵,其中该外部正电位约为+3.0伏特或+3.0伏特以下。16. 如申请专利范围第11项的低供应电压之负性充电泵,其中该耦合电容器构件系由多个聚积电容器所构成。17. 如申请专利范围第16项的低供应电压之负性充电泵,其中各聚积电容器系由p型井部电容器所构成。18.如申请专利范围第17项的低供应电压之负性充电泵,其中该p型井部电容器包含:形成于在n型井区(112)之内之p型井区(114)中之一对P+电极区(116,118),及设置在该p型井区之顶部表面及多晶矽闸极(122)之间之闸极氧化层(120),该n型井区系设置于p型基质(110)中。19. 如申请专利范围第13项的低供应电压之负性充电泵,其中于该第一至第六泵段中,该N-通道本质传送电晶体,本质初始电晶体,及本质预充电电晶体系形成于其自身之个别之p型井部中,俾便减小本体效应。20. 一种低供应电压之负性充电泵,其用以在快闪抹除期间经由一连串快闪EEPROM记忆单元之字线,生成较高负电压,以控制经选定记忆单元之闸极,该负性充电泵包括:易感应于外部电源供应电位及时钟信号以生成较高负电压之充电泵构件(210);由多个充电泵段(201-206)所构成之该充电泵构件;易感应于该等时钟信号并耦合于该多个充电泵段中之对应之一个以传送该等时钟信号至该多个充电泵段之多个聚积电容器(C201-C212);各该充电泵段由N-通道本质传送电晶体(N1-N6),N-通道本质初始电晶体(MD1-MD6),及N-通道本质预充电电晶体(MX3-MX7,MX1)所构成;及各该聚积电容器由p型井部电容器所构成之各该聚积电容器。图示简单说明:第1图为先前技术的负性充电泵电路之明细概略电路图;第2(a)至第2(d)图为4-相时钟信号之时序图;第3a图显示于负性充电泵中作为聚积电容器的p型井部电容器之电路符号;第3b图为依据本发明之原则而构造之第3a图的p型井部电容器之横断面图;第4图显示形成于p型井部区中的N-通道本质电晶体之电路符号;第5图为依据本发明之原则而构造之第4图的N-通道本质电晶体之横断面结构图;及第6图为使用类似于第5图的N-通道本质电晶体及类似于第3b图的聚积电容器的本发明低供应电压之负性充电泵之明 |
