| 主权项 |
1. 一种活性矩阵型显示装置的驱动电路,包括: 类比开关; 各包含电容器的类比记忆; 各包含并联之多个源极随耦器的类比缓冲器,各源 极随耦 器具有薄膜电晶体。2. 如申请专利范围第1项的驱 动电路,其中驱动电路的制 程包含雷射结晶步骤。3. 如申请专利范围第2项的 驱动电路,其中关系式L=nd成 立,其中d是源极随耦器的间距,L是雷射光照射宽度 ,n 是不小于3的自然数。4. 如申请专利范围第3项的 驱动电路,其中与雷射光照射 进展方向平行的2至n—1个源极随耦器并联。5. 如 申请专利范围第3项的驱动电路,其中n—1个源极随 耦器并联,n—1个源极随耦器只有一个以雷射光照 射的次 数与其它源极随耦器不同。6. 如申请专利范围第4 项的驱动电路,其中并联的源极随 耦器是以雷射光照射不同次数之源极随耦器的组 合。7. 如申请专利范围第3项的驱动电路,其中源 极随耦器排 成(列和m行的矩阵,源极随耦器(p,q),(p+1,q+1), ………(p+u,q+v)并联,其中自然数p,q,u,v满足关系 式1<p<(,1<q<m,0<u<(—1,0<v<m—1。8. 一种活性矩阵型 装置,包括: 排成基底上之矩阵形式的多个活性矩阵元件; 将视频信号送到该活性矩阵元件的多条资料线,该 资料线 各设有类比缓冲器; 扫描该活性矩阵元件的多条闸极性, 其中该类比缓冲器包括并联的至少二个源极随耦 器。9. 如申请专利范围第8项的活性矩阵装置,其 中至少一个 该源极随耦器的临限电压高于其余该源极随耦器 的临限电 压。10. 一种活性矩阵型显示装置的制法,该装置 包括类比开 关,各包含电容器的类比记忆,各包含薄膜电晶体 的类比 缓冲器,其中该制法包含雷射结晶步骤,雷射光照 射宽度 L等于nd,其中n是整数,d是各类比缓冲器的宽度。11. 如申请专利范围第10项的制法,其中雷射光照射重 叠 长度是d的整数倍。12. 如申请专利范围第10项的制 法,其中雷射光照射波长 是308nm或248nm。13. 如申请专利范围第12项的制法, 其中在雷射光照射前 ,矽膜是由固相生长来结晶的膜。14. 如申请专利 范围第12项的制法,其中在雷射光照射前 ,矽膜是非晶矽膜。15. 如申请专利范围第10项的制 法,其中该雷射光具有线 形状。16. 如申请专利范围第10项的制法,其中该雷 射光是准分 子雷射光。图示简单说明: 图1是显示本发明第一实施例之活性矩阵型显示装 置之类 比缓冲器的电路图; 图2是显示本发明第二实施例之活性矩阵型显示装 置之类 比缓冲器的电路图; 图3是显示本发明第三实施例之活性矩阵型显示装 置之类 比缓冲器的电路图; 图4是显示本发明第四实施例之活性矩阵型显示装 置之类 比缓冲器的电路图; 图5是显示本发明第五实施例之活性矩阵型显示装 置之类 比缓冲器的电路图; 图6A和6B是显示用于传统活性矩阵型显示装置之类 比缓冲 器实例的电路图; 图7A和7B显示传统类比缓冲器制造步骤的雷射光照 射; 图8显示用于传统类比缓冲器之薄膜电晶体之临限 电压V@ sst@ssh与薄膜电晶体制程之雷射光照射位置X的关 系; 图9显示传统活性矩阵型显示装置; 图10A—10F显示互补反相器电路的制程; |
