| 发明名称 |
Process of making thin film 2H alpha -sic by laser ablation |
| 摘要 |
Thin films of 2H alpha -silicon carbide are produced by pulsed laser ablation.
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| 申请公布号 |
US5529949(A) |
申请公布日期 |
1996.06.25 |
| 申请号 |
US19940210044 |
申请日期 |
1994.03.17 |
| 申请人 |
KENT STATE UNIVERSITY |
发明人 |
STAN, MARK A.;PATTON, MARTIN O.;WARNER, JOSEPH D. |
| 分类号 |
C30B23/02;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
C30B23/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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