VDMOS电晶体的构造

摘要

一种 VDMOS电晶体的构造，包括：一第一型半导体基板，当作上述电晶体的汲极区；一第一型磊晶层，形成于上述半导体基板上，且上述第一型磊晶层的掺植浓度小于上述第一型半导体基板，以当作上述电晶体的漂移区；至少二第二型掺植区，分开形成于上述第一型磊晶层的既定位置；至少二第一型掺植区，分别形成于上述第二型掺植区内，以当作上述电晶体的源极区；以及至少一导电层，绝缘地设置于上述第一型磊晶层上，且跨设于上述第一型掺植区之间，以当作上述电晶体的闸极；其特征在于：于上述闸极下且位于上述第二型掺植区之间的第一型磊晶层形成有第二型掺植的缓冲区。

主权项

2. 如申请专利范围第1项所述之VDMOS电晶体的构造,其中,上述闸极具有一开口,而上述第二型掺植的缓冲区系经由上述开口而形成于上述第二型掺植区之间。3. 如申请专利范围第2项所述之VDMOS电晶体的构造,其中,上述闸极系藉由闸极氧化物而设置于上述第一型磊晶层上。4. 如申请专利范围第3项所述之VDMOS电晶体的构造,其中,上述闸极为复晶矽。5. 如申请专利范围第1.2.3或4项所述之VDMOS电晶体的构造,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。6. 如申请专利范围第1.2.3或4项所述之VDMOS电晶体的构造,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。图示简单说明:第1图系显示习知VDMOS电晶体的构造的上视示意图;第2图系显示沿着第1图中Ⅱ-Ⅱ线所取的剖面图;第3图系显示第1图及第2图所示习知VDMOS电晶体的构造的等电位线图;第4图系显示本创作之VDMOS电晶体的构造的上视示意图;第5图系显示沿着第1图中Ⅴ-Ⅴ线所取的剖面图;以及第6图系显示第4图及第5图所示本创作之VDMOS电晶体的构