半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的半导体器件是这样形成的：形成T形栅极；在T形栅极两侧下方的潜挖部位形成与T形栅极容性耦合的辅助栅极；利用掺杂氧化膜在硅衬底中辅助栅极之下形成轻掺杂区；并形成连至轻掺杂区的重掺杂区。因此，本发明可形成高速集成电路器件所需的短沟道长度，并通过降低LDD结构的轻掺杂区的沟道电阻，大大提高器件的工作速度。

主权项

1.一种半导体器件，具有栅极以及LDD结构的源和漏区，其中形成有辅助栅极，这些辅助栅极电性悬浮于轻掺杂区，在电学上控制所述轻掺杂区的电阻。