| 摘要 |
<p>L'invention concerne un transistor bipolaire latéral, présentant une mince barrière de diffusion (4) déposée sur la base (10) entre l'émetteur (9) et le collecteur (11). Une électrode (8) située sur la base (10) est destinée à une ligne d'alimentation de basse impédance. Elle est raccordée à une zone de connexion de la base, fortement dopée, et réalisée par exemple en polysilicium, dans lequel l'agent de dopage est diffusé à partir de la zone de connexion de la base.</p> |
