| 发明名称 | 检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差的方法 | ||
| 摘要 | 一种通过肉眼检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差的方法，即使是256M以上的DRAM器件也能精确控制光刻胶膜图形关键尺寸，并允许精确地分析产额，该法包括以下各步骤：使光刻胶膜在低温经受热处理，以使得某些低分子量化合物或溶剂分子保留在光刻胶膜内；在光刻胶膜上形成一定厚的特殊材料层，使留下的低分子量化合物或溶剂分子从光刻胶膜经特殊材料层的较薄部分涌出。 | ||
| 申请公布号 | CN1122912A | 申请公布日期 | 1996.05.22 |
| 申请号 | CN95107601.9 | 申请日期 | 1995.07.10 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 裵相满 |
| 分类号 | G01N25/72 | 主分类号 | G01N25/72 |
| 代理机构 | 北京市中原信达知识产权代理公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1．一种检测涂敷在晶片上的光刻胶膜的微观厚度差的方法，该法包括以下各步骤：使光刻胶膜在低温经受热处理，以使得低分子量化合物或溶剂分子保留在光刻胶膜中；在该光刻胶膜的一定厚度形成的特殊材料层；以及实行高温热处理，使保留在低分子量化合物或溶剂分子经特殊材料层的较薄部分从光刻胶膜涌出来。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川郡 | ||