| 主权项 |
1. 一种在不变性半导体记忆装置中的自动程式编 写电压 产生器,该不变性半导体记忆装置具有复数个浮动 闸型式 的记忆胞元,用来程式化选择记忆胞元的程式编写 装置, 及用来检验被选择记忆胞元是否成功地被程式编 写的程式 编写检验装置,上述之自动程式编写电压产生器包 括: 一高电压产生器,其产生程式编写电压; 一修整电路,其检测程式编写电压之位准,以便当 被选择 的记忆胞元被程式编写未成功时,可将程式编写电 压依次 增加到一预定电压范围内; 一比较电路,其比较检测电压位准与参考电压,而 后产生 比较信号;以及 一高电压产生控制电路,其响应比较信号而激活高 电压产 生器。2. 依据申请专利范围第1项之自动程式编写 电压产生器, 其中所述修整电路包括复数个电阻器,其串接于高 电压产 生器之程式编写电压产生端与参考电压之间,以及 复数个 电晶体,其分别旁通上述之复数个电阻器,以便依 次增加 其程式编写电压。3. 依据申请专利范围第1项之自 动程式编写电压产生器, 其中所述修整电路包括复数个旁通工具,此依次增 加程式 编写电压。4. 依据申请专利范围第3项之自动程式 编写电压产生器, 另包括一修整信号产生器,其连接于复数个旁通工 具以依 次增加程式编写电压。5. 依据申请专利范围第4项 之自动程式编写电压产生器, 其中所述修整信号产生器包括锁栓工具,其在程式 编写电 压依次被增加之后产生一固定电压。6. 依据申请 专利范围第4项之自动程式编写电压产生器, 另包括一二进制计数器,其连接于修整信号产生器 ,以便 依次激活上述之复数个旁通工具。7. 依据申请专 利范围第5项之自动程式编写电压产生器, 另包括一二进制计数器,其连接于修整信号产生器 ,以便 依次激活上述之复数个旁通工具。8. 依据申请专 利范围第7项之自动程式编写电压产生器, 另包括一循环计数电路,其响应来自二进制计数器 之计数 信号而停止程式编写电压的产生。9. 一种不变性 半导体记忆装置之自动程式编写电压的产 生方法,其依次执行程式编写及程式编写检验之操 作,其 特征在于:其程式编写电压系在一预定电压范围内 依次被 增加,而后维持一固定的电压位准。10. 依据申请 专利范围第9项之方法,其中所述固定电压 位准被设定以防止交点的崩溃,及记忆胞元之闸氧 化层的 崩溃。11. 依据申请专利范围第9项之方法,其中所 述预定电压 之范围大约由15V到19.5V。12. 一种具有记忆胞元阵 列之不变性半导体记忆装置,该 记忆胞元阵列包括排列成行列矩阵的复数个NAND胞 元单位 ,各NAND胞元单位具有多数个通道彼此串接的记忆 胞元, 各记忆胞元系具有浮动闸及控制闸的浮动闸型式 的电晶体 ,并且包括复数个字线,其连接于排列在同行的记 忆胞元 的控制闸上,该不变性半导体记忆装置具有程式编 写工具 ,用来程式编写连接于被选择之字线上的预定记忆 胞元, 并且具有程式编写检验工具,用来检验预定记忆胞 元是否 成功地被程式编写,该不变性半导体记忆装置包括 : 一程式编写电压产生器,用来对被选择之字线产生 一程式 编写电压,后者在预定记忆胞元被程式编写未成功 时则依 次增加;以及 一通过电压产生器,用来对未被选择之字线提供一 通过电 压,后者在与上述依次增加之程式编写电压比较时 ,则依 次增加以维持一预定的电压差。图示简单说明: 图1系依据本发明之较佳实施例的程式编写电压产 生器; 图2系依据本发明之较佳实施例的修整信号产生器 ; 图3A系依据本发明之较佳实施例的二进制计数器; 图3B系用来颢示图3A之进制计数器的各步骤; 图4系一时钟信号产生器,其用来产生时钟信号以 驱动图 3A中的二进制计数器; 图5系依据本发明之较佳实施例的控制信号产生器 ; 图6系依据本发明之较佳实施例的循环计数器; 图7系一定时图,其显示与依据本发明之较佳实施 例之程 式编写电压产生器有关的电路中各部分的操作; 图8系显示依据本发明之较佳实施例的程式编写循 环与程 式编写电压之间的关系; 图9系一等效电路图,其显示具有传统的NAND构造记 忆胞 元的记忆胞元阵列的一部分; 图10系一示意电路图,其显示依据本发明之较佳实 施例的 通过电压产生器; 图11系一定时图,其显示有关于依据本发明之较佳 实施例 的通过电压产生器之电路的各部分的操作;以及 图12系显示依据本发明之较佳实施例的程式编写 循环与程 |
