半导体晶片，半导体集成电路器件，以及它们的制造工艺

摘要

在含有预定导电类型杂质的半导体衬底本体的主表面上形成一个外延层，它含有导电类型与前述杂质相同的杂质而杂质浓度和指定的一种前述杂质的浓度相同。其后，形成一个阱区，其导电类型与上述杂质相同而其杂质浓度沿上述外延层的深度逐渐降低。阱区形成有MISFET的栅隔离膜。

主权项

1.一种制造半导体集成电路器件的工艺，它包含下列步骤：制备一个含有预定导电类型杂质的半导体衬底本体，其表面上形成有一层与上述杂质导电类型相同而浓度不高于上述半导体衬底本体的半导体单晶层；形成一个从上述半导体单晶层表面延伸到上述半导体衬底本体上部并具有同上述杂质相同的导电类型且其杂质浓度沿上述半导体单晶层的深度逐渐降低的第一半导体区；以及在上述半导体区上形成一个氧化物膜。