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发明名称 Halbleiterbauelement mit MOS-Transistoren und Verfahren zu dessen Herstellung.
摘要
申请公布号 DE69113673(T2) 申请公布日期 1996.04.18
申请号 DE19916013673T 申请日期 1991.04.11
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 SAWADA, SHIZUO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, TOKYO 105, JP;IWASAKI, SEIKO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, TOKYO 105, JP
分类号 H01L29/78;H01L21/22;H01L21/266;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/10;(IPC1-7):H01L29/10 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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