| 摘要 |
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een eerste zijde (2) van een halfgeleiderplak (1), die is voorzien van een op een isolerende laag (3) liggende laag halfgeleidermateriaal (4), halfgeleiderelementen (5) en geleidersporen (14) worden gevormd. Daarna wordt de halfgeleiderplak (1) met deze eerste zijde (2) bevestigd op een dragerplak (15), waarna vanaf de andere, tweede zijde (17) materiaal van de halfgeleiderplak (1) wordt verwijderd tot de isolerende laag (3) is blootgelegd. De isolerende laag (3) wordt voorzien van contactvensters (18) waarin geleidende elementen (19) worden aangebracht. Dit gebeurt vanaf de eerste zijde (2) van de halfgeleiderplak (1) nog voordat deze wordt bevestigd op de dragerplak (15). De halfgeleiderelementen (5) worden door de geleidende elementen (19) uitwendig gecontacteerd met een contactdraad (20). De contactvensters (18) en de geleidende elementen (19) kunnen gevormd worden tijdens processtappen die worden uitgevoerd om de halfgeleiderelementen te vervaardigen. |
