| 发明名称 |
Method for fabricating integrated circuits with silicide |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
HK49196(A) |
申请公布日期 |
1996.03.29 |
| 申请号 |
HK19960000491 |
申请日期 |
1996.03.21 |
| 申请人 |
AT & T |
发明人 |
RUICHEN LIU;CHIH-YUAN LU;CHIEN-SHING PAL;NUN-SIAN TSAI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/285;H01L23/485;H01L21/90;H01L21/320 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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