| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Verbindung eines elektronischen Bauelements (5), das auf einer Oberfläche mehrere Aluminium-Anschlußflächen (4) aufweist, mit einem eine Mehrzahl von Kontaktflächen (2) aufweisenden Substrat (1) über zwischen den Aluminium-Anschlußflächen und den Kontaktflächen ausgebildeten Kontaktmetallisierungen, wobei die Kontaktmetallisierungen zumindest zu einem großen Teil aus dem Verbindungsmaterial Gold bestehen. Dazu werden die Kontaktflächen auf dem Substrat mit Kontakthöckern (3) versehen, die zumindest zu einem großen Teil aus Gold bestehen (z.B. Gold-Ball-Bumps), und ferner mehrere Aluminium-Anschlußflächen des elektronischen Bauelements mit den mit Kontakthöckern versehenen Kontaktflächen auf dem Substrat ausgerichtet und weiterhin unter ausschließlicher Einwirkung von Druck und Temperatur, d.h. insbesondere ohne Ultraschallbeaufschlagung, eine Verbindung zwischen den Aluminium-Anschlußflächen und den zu einem großen Teil aus Gold bestehenden Kontakthöckern auf den Kontaktflächen des Substrats hergestellt. Die Erfindung ist daher für die Flip-Chip-Montage von nicht gebumpten, vereinzelten Silizium-Chips mit Standardaluminium-Anschlußflächen auf anorganische Substrate (z.B. Keramik) und organische Substrate (z.B. FR-4 Leiterplatte) hervorragend geeignet.</p> |
