Microelectronic ballistic transistor and process of manufacturing the same,申请号EP19920101283-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Microelectronic ballistic transistor and process of manufacturing the same
摘要
申请公布号	EP0498254(B1)	申请公布日期	1996.03.27
申请号	EP19920101283	申请日期	1992.01.27
申请人	SONY CORPORATION	发明人	UGAJIN, RYUICHI
分类号	H01J3/02;H01J21/10;(IPC1-7):H01J3/02;H01J1/30;H01J9/02	主分类号	H01J3/02
代理机构		代理人
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