| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren zur photolithographischen Strukturerzeugung im Submikron-Bereich wird auf ein Substrat eine Photoresistschicht aufgebracht, die aus einem tert.-Butylester- oder tert.-Butoxycarbonyloxygruppen enthaltenden Polymer, einer photoaktiven Komponente - in Form eines Esters einer Naphthochinondiazid-4-sulfonsäure mit einer aromatischen Hydroxyverbindung - und einem geeigneten Lösungsmittel besteht; die Photoresistschicht wird dann getrocknet, bildmäßig belichtet, einer Temperaturbehandlung im Bereich zwischen 120 und 150 °C für die Dauer von 100 bis 600 s ausgesetzt und naßentwickelt (Einlagenresistsystem). Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren, bei dem ein entsprechendes Zweilagenresistsystem Verwendung findet.</p> |
