| 摘要 |
<p>Ein hochohmiges Siliziumsubstrat (11) umfaßt ein aktives Mikrowellenbauelement (16) und mindestens zwei Metallisierungsebenen (12, 14), die durch eine Isolationsschicht (13) gegeneinander isoliert sind. Von einer geerdeten Leitung (122) in einer der Metallisierungsebenen (12) umgeben ist ein passives Bauelement vorgesehen, das eine erste Metallstruktur (121), die in der einen Metallisierungsebene (12) realisiert ist, und eine zweite Metallstruktur (141), die in der anderen Metallisierungsebene (14) realisiert ist, umfaßt. Das passive Bauelement ist insbesondere als Kondensator, Spule oder Resonator, der einen Kondensator und eine Spule umfaßt, ausgebildet.</p> |
