首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Halbleiteranordnung, die auf einem Siliziumsubstrat oder auf einer Siliziumschicht gebildet wird, und Verfahren zu deren Herstellung.
摘要
申请公布号 DE69020331(T2) 申请公布日期 1996.03.07
申请号 DE1990620331T 申请日期 1990.10.29
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 NISHIMURA, TAKASHI, C/O MITSUBISHI DENKI K. K., ITAMI-SHI, HYOGO-KEN, JP
分类号 H01L21/20;H01L21/205;H01L27/15;H01L29/267;H01S5/00;(IPC1-7):H01L29/267 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com