| 主权项 |
1. 一种磁控管溅射系统,包含:一个具有前面之盘形溅射靶,其由被溅射的材料和背面所组成,上述之盘形靶有一个周围,第一密闭回路磁机构紧邻于上述溅射靶之背面,以产生一个邻近于上述之溅射靶前面的一个密闭回路磁隧道,第二密闭回路磁机构紧邻于上述溅射靶之周围,如此由上述第二密闭回路磁机构所产生的磁场,可防止上述密闭回路磁隧道与上述溅射靶之周围交叉。2. 如申请专利范围第1项之溅射系统,其中上述之密闭回路磁机构,是绕着通过上述溅射靶之轴旋转的。3.如申请专利范围第1项之溅射系统,其中上述之溅射靶是平面的。4. 如申请专利范围第1项之溅射系统,其中上述之溅射靶是凹面的。5. 如申请专利范围第1项之溅射系统,其中上述之溅射靶周围实质上是圆的。6. 如申请专利范围第2项之溅射系统,其中上述之第一密闭回路磁机构通常是心形的。7. 如申请专利范围第2项之溅射系统,其中上述之磁隧道有一个狭窄的横截面。8. 如申请专利范围第6项之溅射系统,其中上述之第一密闭回路磁机构有一个横截面,实质上其在整体回路上是不变的。9. 如申请专利范围第5项之溅射系统,其中上述之第二密闭回路磁机构,事质上是圆的并且有一个较大于上述之溅射靶的直径。图示简单说明:图1是依此发明一个溅射室之部份横截面图。图2是设计用于此发明中之反磁阵列的一个平面示意图。图3是用于此发明反磁阵列中之一个楔形磁的平面图。图4是一个电浆点燃压力对应于主磁反磁位置的图表。图5A和图5B是电子温度对应依此发明比较有反磁和没有反磁之溅射系统之压力的图表。图6是依此发明比较有无反磁溅射系统之电压/电流的图表。图7A和7B是依此发明,在有无反磁溅射靶边缘附近之电脑模拟的磁场线图表。图8是依此发明电浆强度对应于有无反磁之溅射系统比较 |
