DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORE SIGILLATO CON RESINA DA STAMPAGGIO E PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DEL MEDESIMO

摘要

E' descritto un procedimento per fabbricare un dispositivo a semiconduttore sigillato con resina da stampaggio. Una interconnessione d'alluminio includente una piazzuola elettrodica d'alluminio viene formata su un substrato di semiconduttore avente un elemento. Un polimero a scala siliconico espresso dalla seguente formula generale viene formato sul substrato di semiconduttore per ricoprire l'elemento. La pellicola di polimero siliconico a scala viene incisa selettivamente mediante un solvente organico aromatico per esporre la superficie della piazzuola elettrodica d'alluminio. La temperatura dalla pellicola di polimero siliconico a scala viene innalzata con una velocità di aumento di temperatura di 20° C/min o più e quindi la pellicola di polimero siliconico a scala viene raffreddata con una velocità di raffreddamento di 20 C/min o più per formare una pellicola protettiva tamponante le sollecitazioni indurita per tamponare sollecitazioni applicate all'elemento. (FORMULA) (nella formula n è un numero intero che fa sì che il peso molecolare ponderale medio abbia a rientrare nell'intervallo da 100.000 a 200.000).