高性能无机薄膜型湿敏器件及其制作方法

摘要

高性能无机薄膜型湿敏器件及其制作方法，是在硅片上用电子束蒸发或射频溅射或直流反应溅射这类物理气相沉积工艺沉积一层厚度为100-500mn的T_a2O₅温敏介质薄膜，并在其上的A_u-C_r透湿电极膜上用电镀工艺制作一个厚度为0.5～2mm的电极引出环，从而降低了T_a2O₅薄膜温敏器件的制造成本，提高了湿敏器件特性的一致性和可靠性。本发明的湿敏器件测温范围宽、响应速度快、稳定性好、能够长期在高温高湿环境下工作。

主权项

1.一种高性能无机薄膜型湿敏器件，采用金属——氧化钽——半导体(简称MOS)结构电容式薄膜湿敏器件，其特征在于金属采用Au—Cr构成的双层透湿电极，半导体采用单晶硅片作为芯片，氧化物采用物理气相沉积工艺制备的氧化钽薄膜作为湿敏介质层，三者组成一个对湿度敏感的MOS型电容。