发明名称 |
半导体存储装置 |
摘要 |
一种半导体存储装置,其组成包括:位线,字线,单元平板电极,由MOS晶体管以及强电介质电容组成的存储单元,以及改变位线电容值的变动装置。此变动装置由与位线连接的开关元件和与该开关元件连接的电容构成。数据提供者与数据使用者之间预先设定的最大读出次数的读出动作结束后,通过使开关元件处于导通状态,将电容与位线连接,因而位线电容值变得不确切,无法读出正确的数据。 |
申请公布号 |
CN1115099A |
申请公布日期 |
1996.01.17 |
申请号 |
CN94113672.8 |
申请日期 |
1994.10.28 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
中熊哲治;角辰己;平野博茂;中根让治;森脇信行;椋木敏夫 |
分类号 |
G11C11/40 |
主分类号 |
G11C11/40 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
赵国华 |
主权项 |
1. 一种半导体存储装置,其特征在于包括:一对位线;字线;单元平板电极;由MOS晶体管和强电介质电容组成,并与所述位线、所述字线以及所述单元平板电极连接的存储单元;当超过预先设定的最大读出次数读出时,防止读出与所述最大读出次数以内读出时的读出数据相同的数据的防御装置。 |
地址 |
日本大阪府 |