| 发明名称 |
Dispositif de mémoire à semi-conducteurs comportant une structure de commande de lignes entrée/sortie à grande vitesse. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2709015(B1) |
申请公布日期 |
1996.01.12 |
| 申请号 |
FR19940010002 |
申请日期 |
1994.08.12 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
LEE SI-YCOL;JANG HYUN-SOON;KIM MYUNG-HO |
| 分类号 |
G11C11/41;G11C7/10;G11C7/18;G11C11/409;G11C11/4096;(IPC1-7):G11C7/00;G11C11/34 |
主分类号 |
G11C11/41 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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