| 主权项 |
1. 一种自一来源溶液中浓缩、去除并分离以特殊 阴离子 错合物出现之铑、铱及/或钌之方法,由以下步骤 组成: (a)使具有一第一体积之来源溶液与一由共价键结 至一固 体无机承体矩阵之分枝或不分枝、巨环式或非巨 环式含聚 烯之配位体与聚胺之配位体所组成之化合物接触 其化学式 表示为: 其中X为一具有4至20个碳原子之间隔基,具有一功 能性本 质,其亲水性足以在一水般环境中起作用,并将使 配位体 部份自固体基质承体中分离,以使配位体与被分离 之阴离 子错合物间之交互作用增至最大;配位体为选自由 高度稳 定之巨环式、非巨环式、分枝或不分枝之含聚烯 与聚胺烃 所组成之集团中一员,此烃共价键接至X;基质为一 固体 承体材料,选自由砂、矽凝胶、玻璃、玻璃纤维、 氧化铝 、氧化镍、氧化锆、或氧化钛所组成之集团中或 其他亲水 性无承机体及混合物,且Z选自由氯、溴、碘、烷 基、烷 氧基、取代烷基或取代烷氧基及氧—基质所组成 之集团中 一员;所述化合物之所述配位体部份对所述铑、铱 及/或 钌阴离子错合物具有亲和性而形成铑、铱及/或钌 阴离子 错合物与所述化合物之所述含聚烯与聚胺之配位 体间之一 错合; (b)移开与所述铑、铱及/或钌阴离子错合物相接触 之来 源溶液; (c)使与所述铑、铱及/钌阴离子错合物之化合物与 一较 小体积之第一接收溶液接触,此溶液改变铑及/或 铱阴离 子错合物之状态,使其等配位体不具亲和性但不折 断铱阴 离子错合物与所述化合物间之错合,因此选择性折 断所述 化合物与所述铑及/或钌阴离子错合物间之错合, 并在所 述较小体积之所述接收溶液中以浓缩形式收回铑 及/或钌 阴离子错合物;其中所述第一接收溶液为任何具有 允许铑 及/或铱阴离子错合物在所述圆柱内从所述化合物 上被折 断,而不妨碍键结铱之错合物之性质之溶液,而且 其中所 述第一接收溶液选自下列溶液所组成之集团中:保 持在90 ℃至95℃之稀HCl(0.1至0.2M)水溶液;保持在50℃至95 ℃久含硫 (0.1至1.0M)及TiCl@ss3(0.01至1.0M)之 稀HCl(0.1至0.2M)水溶液;保持在70℃至95℃之含硫 (0.1至1.0M)及NaH@ss2PO@ss2(0.1至0.5M)水溶液; 保持在70℃至95℃之硫 (0.1至1.0M)及H@ss3PO@ss2( 0.1至0.5M)水溶液;保持在90℃至95℃之含硫 (0.1至 1.0M)及N@ss2H@ss5Cl(0.1至0.5M)之稀HCl(0.1至0. 2M)水溶液;保持在90℃至95℃之含硫 (0.1至1.0M) 加NAH@ss2PO@ss3(0.1至0.5M)之稀HCl(0.1至0.2M)水 溶液;保持在50℃至95℃之Fe(ClO@ss4)@ss2(0.1至0.5M )加稀HCl(0.1至0.2M)之水溶液;保持在50℃至95℃之 FeCl@ss2(0.1至0.5M)与稀HClO@ss4(0.1至0.2M)之水 溶液;保持在50℃至95℃之Fe(ClO@ss4)@ss2(0.1至0.5M )与稀HClO@ss4(0.1至0.2M)之水溶液;以及 (d)使与所述铱阴离子错合物错合之所述化合物接 触一较 小体积之第二接收溶液,此溶液若非较所述化合物 对所述 铱阴离子错合物具较大亲和性,则系较所述铱阴离 子错合 物对所述化合物具较大亲和性,因此折断所述化合 物与所 述铱阴离子错合物间之所述错合,并在所述较小体 积之所 述接收溶液中以浓缩形式收回铱阴离子错合物,其 中所述 第二接收溶液为任何具有允许铱阴离子错合物在 所述圆柱 内从所述化合物上被折断之性质之溶液,而且其中 所述第 二接收溶液选自由NH@ss4Cl、(NH@ss4)@ss2SO@ss4.NH@ ss4CH@ss3COO、Na@ss4EDTA、柠檬酸钠、Na@ss4P@ss2O@ ss7及其混合之水溶液组成之集团中。2. 如申请专 利范围第1项之方法,其中配位体为由下列化 学式所组成集团中选出之一员: (a) 其中A、B、C、D、E及F可为氧、OCH@ss2.N-R或N(R)CH@ ss2之任意组合,其中R为选自由氢、1至10碳原子烷 基或 苄基所组成之集团中之一员;m为一介于—1与4间之 整数 但至少两胺氮必须出现在A、B、C、D、E及F中; (b) 其中A@bs3'、B@bs3'、C@bs3'、D@bs3'、E@bs3'及F @bs3'可为氧、OCH@ss2.N-R或者N(R)CH@ss2之任意组合 ,其中R为选自由氢、1至10碳原子烷基或苄基所组 成之集 团中之一员;(@su,、m@su,及n@su,各可为一介于0与2 间之整数: (c) 其中J及K各为一选自由N(R@su3)、N(R@su3)CH@ss2.氧及 OCH@ss2所组成之集团中之一根基,但J或K中之一必须 为N (R@su3)或N(R3)CH@ss2;R@su2为一选自由氢或低分子烷 基所组成之集团中之一根基;R@su3为一选自由氢、 低分 子烷基及芳香基譬如苯基、 基及 啶基所组成之 集团中 之一根基;c为从1至25之一整数;d为从0至25之一整数 ; M为一选自由氢、NH(R@su3)、OH、低分子烷基所组成 之集 团中之一根基; (d) 其中R@su5及R@su6为(CH@ss2)jNR@su7R@su8或氢;R@su7 及R@su8为(CH@ss2)@ssKNH@ss2或氢;g、h、j及k各为从2 至10之一整数;i为从0至10之一整数;以及 (e) 其中Q为选自由N、NR@ssX〞及氧所组成之集团中之 一员; T、U、V及W为选自由NR@ssX〞及氧或OH(若氧位于末端 位 置)所组成之集团中之一员而x为一正整数以使出 现之胺 氮为第三级或第四级,但此式包含至少二个得自Q 、T、U 、V及W之第三级或第四级氮;p、q、s及t代表从2至10 之 整数;r及u各为从0至25之整数而v为0或1之整数,但Q 为 NR@ssX〞或氧时v必须为0;R@su〞为选自由低分子烷基 及 取代低分子烷基所组成之集团中之一员;而 X为选自由芳香基、去水甘油基、去水甘油氧基烷 基、烷 氧基烷基及羧烷基及其组合物所组成集团中之一 员。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中所述化 合物包含在 一充填圆柱内,且其中来源溶液先流过所述充填圆 柱以允 许形成所述铑、铱及/或钌阴离子错合物与所述化 合物间 之一错合物,接着从所述化合物上折断所述铑及/ 或钌阴 离子错合物,并从所述允填圆柱中去除铑及/或钌 阴离子 错合物,接着再从所述化合物上折断所述铱阴离子 错合物 并去除铱阴离子错合物,此系藉使所述体积之所述 第一及 第二接收溶液流过所述充填圆柱,并分别收回所述 第一及 第二接收溶液,所述第一接收溶液包含浓缩形式之 铑及/ 或钌阴离子错合物而所述第二接收溶液包含浓缩 形式之所 述铱阴离子错合物。4. 如申请专利范围第1项之方 法,其中配位体具有下列化 学式: 其中A、B、C、D、E及F可为氧、OCH@ss2.N—R或N(R)CH@ ss2之任意组合,其中R为选自由氢、1至10碳原子烷 基或 苄基所组成之集团中之一员;m为一介于—1与4间之 整数 但至少两胺氮必须出现在A、B、C、D、E及F中。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中配位体具有下 列化 学式: 其中A@bs'、B@bs'、C@bs'、D@bs'、E@bs'及F@bs' 可为氧、OCH@ss2.N—R或者N(R)CH@ss2之任意组合,其 中R为选自由氢、1至10碳原子烷基或苄基所组成之 集团中 之一员;(@su,、m@su,及n@su,各可为一介于0与2间之 整数。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中配位 体具有下列化 学式: 其中J及K各为一选自由N(R@su3)、N(R@su3)CH@ss2.氧及 OCH@ss2所组成之集团中之一根基,但J或K中之一必须 为N (R@su3)或N(R@su3)CH@ss2;R@su2为一选自由氢或低分子 烷基所组成之集团中之一根基;R@su3为一选自由氢 、低 分子烷基及芳香基所组成之集团中之一根基;c为 从1至25 之一整数;d为从0至25之一整数;M为一选自由氢、NH( R@ su3)、OH及低分子烷基所组成之集团中之一根基。7 . 如申请专利范围第6项之方法,其中X具有下列化 学式 : 其中R@su1为一选自由氢、OH、低分子烷基及芳香基 所组 成集团中之一根基,a为从2至10之一整数而b为1。8. 如申请专利范围第7项之方法,其中R@su1为OH而a为3 。9. 如申请专利范围第1项之方法,其中配位体具 有下列化 学式: 其中R@su5及R@su6为(CH@ss2)@ssjNR@su7R@su8或氢;R@ su7及R@su8为(CH@ss2)@ssKNH@ss2或氢;g、h、j及k各为 从2至10之一整数;i为从0至10之一整数。10. 如申请 专利范围第7项之方法,其中X具有下列化学式 : 其中R@su4为一选自由氢、OH、低分子烷基及芳香基 所组 成集团中之一根基,e为从2至10之一整数而f为1。11. 如申请专利范围第10项之方法,其中R@su4为OH而e为 3。12. 如申请专利范围第1项之方法,其中配位体具 有下列 化学式: 其中Q为选自由N、NR@ssX〞及氧所组成之集团中之 一员; T、U、V及W为选自由NR@ssX〞及氧或OH(若氧位于末端 位 置)所组成之集团中之一员而x为一正整数以使出 现之胺 氮为第三级或第四级,但此式包含至少二个得自Q 、T、U 、V及W之第三级或第四级氮;p、q、s及t代表从2至10 之 整数;r及u各为从0至25之整数而v为0或1之整数,但Q 为 NR@ssX〞或氧时v必须为0; 而R@su'@su'为选自由低分子烷基及取代低分子烷基 所组 成之集团中之一员。13. 一种具有下列化学式之化 合物: 其中X为一间隔基,具有2至20个碳原子且由芳香基 、去水 甘油基、去水甘油氧基烷基、烷氧基烷基及羧烷 基及其组 合物所组成集团中选出;基质为一固体承体材料, 选自由 砂、矽凝胶、玻璃、玻璃纤维、氧化铝、氧化镍 、氧化锆 、或氧化钛所组成之集团中或其他亲水性无机承 体及其混 合物;Z为选自由氯、溴、碘、烷基、烷氧基、取 代烷基 或取代烷氧基及氧基质所组成之集团中之一员;R@ su5及R @su6为(CH@ss2)@ssjNR@su7R@su8或氢;R@su7及R@su8为( CH@ss2)@sskNH@ss2或氢;g、h、j及k各为从2至10之一整 数;i为从0至10之一整数。14. 如申请专利范围第13 项之化合物,其中X具有下列化 学式: 其中R@su4为一选自由氢、OH、低分子烷基及芳香基 所组 成集团中之一根基,e为从1至10之一整数而f为1。15. 如申请专利范围第14项之化合物,其中R@su4为OH而e 为3。16. 如申请专利范围第15项之化合物,其中g为2 ,h为2, i为2,R@su5为氢,R@su6在第一及第二次发生时为(CH@ ss2)@ssjNR@su7R@su8而j为2,R@su7及R@su8在第一次发 生时为氢并在第二及第三次发生时为(CH)@sskNHk2而k 为2 ;且其中Z为氧基质,基质为矽石并具有下列化学式: 17. 如申请专利范围第15项之化合物,其中g为2,i为2, R@su5为氢,R@su7及R@su8为(CH)@sskNH@ss2而k为2;且 其中Z为氧基质,基质为矽石并具有列化学式: |
