发明名称 耐高温氮化矽陶瓷及其产制方法
摘要 一种烧结的氮化矽成形品具有高机械强度且包含至少87重量%之氮化矽与高达13重量%之A12O3和Y2O3之添加物组合。Y2O3 /A12O3重量比介于1.1至3.4之范围内,且其可含有高达1.0重量%之HfO2与/或ZrO2。成形品具有98%之理论最大密度;在室温下,其机械强度≧850MPa,在800℃之温度下,其机械强度≧800MPa;断裂韧度K1c为≧8MPa,m之范围。
申请公布号 TW267997 申请公布日期 1996.01.11
申请号 TW083100152 申请日期 1994.01.10
申请人 赫斯特化工厂 发明人 哈玛特.库勒;柯尼亚.波伯斯基;刚特.瑞道;瑞勒.罕明勒
分类号 C04B35/58 主分类号 C04B35/58
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种烧结的氮化矽陶瓷成形品,其特征为具有高机械强度且含有SiC_3CNC_4C之与/或型结晶相,其中,成形品包含至少87重量之氮化矽与高达13重量之和之添加物组合;YC_2COC_3C/AlC_2COC_3C之重量比是在1.1至3.4之范围之成形品可额外地含有0至1.0重量之与/或,成形零件具有密度大于之理论可能密度且其强度在室温时≧850MPa与在800℃之温度时≧800MPa。2.如申请专利范围第1项之成形品,其中成形零件,具有KC_ICC≧8MPam之断裂韧度。3.如申请专利范围第1或2项之成形品,其中,氮化矽陶瓷具有大于310C^6C晶粒/平方毫米之每单位面积之晶粒数以及平均晶粒宽度≦0.4微米之晶粒,最大晶粒宽度≦2微米与纵横比≧8。4.如申请专利范围第1或2项之成形品,其中,成形品具有细分割之晶界相,此相当于SiC_3CNC_4C晶粒之间之非晶质相厚度不大于0.1微米。5.如申请专利范围第1或2项之成形品,其中,成形品具有大于9MPam之断裂韧度KC_ICC以及在室温时≧950MPa之机械挠曲破裂强度。6.一种制造如申请专利范围第1至5项中任一项烧结的氮化矽成形品之方法,其包括首先制备SiC_3CNC_4C之混合物,其中SiC_3CNC_4C混合物具有2至15mC^2C/g范围之BET比表面积与小于1.5重量之氧含量以及具有细分割之YC_2COC_3C、AlC_2COC_3C或HfOC_2C与/或ZrOC_2C且小于2体积之型含量,以混合物之总重量为基准,总添加物含量是在6至13重量之范围;然后,混合物在液态分散介质中混合与研磨且乾燥与附聚所生成之悬浮体,接着施予压制、注射成形或再分散且铸造所得到之附聚材质以制成成形品并将此成形品烧结于1725至1850℃之温度且在氮气下进行,烧结时间高达2小时。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,总添加物含量是在8至10.5重量之范围。8.如申请专利范围第1或2项之成形品,系用于机械与设
地址 德国