发明名称 Halbleiteranordnung mit kurzgeschlossener Anode und Verfahren zu deren Herstellung.
摘要
申请公布号 DE68923056(T2) 申请公布日期 1995.11.30
申请号 DE19896023056T 申请日期 1989.09.14
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 MATSUDA, HIDEO C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO 105, JP;YOSHIDA, TAKEOMI C/O INTELLECTUAL PROPERTY, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO 105, JP;FUJIWARA, TAKASHI C/O INTELLECTUAL PROPERTY D, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO 105, JP
分类号 H01L21/332;H01L29/08;(IPC1-7):H01L29/08;H01L29/744 主分类号 H01L21/332
代理机构 代理人
主权项
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