| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | MOS晶体管由栅绝缘膜(3)、栅电极(11)、栅电极两侧的一对侧壁绝缘膜(13)、其下的低浓度源·漏区(4)和高浓度源·漏区(16)构成。在侧壁绝缘膜和元器件隔离之间形成了凹部(22)，在凹部(22)的硅衬底(1)上形成用于减小电容的绝缘膜(14)，其上形成引出电极(15)，高浓度源·漏区和引出电极在侧壁绝缘膜和用于减小电容的绝缘膜之间电连接。源·漏区下面的PN结部分的电容减小，同时能确保与布线的接触面积，提高集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN1112292A | 申请公布日期 | 1995.11.22 |
| 申请号 | CN95101849.3 | 申请日期 | 1995.02.25 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 西尾干夫;赤松晋;奥田宁 |
| 分类号 | H01L29/80;H01L29/78;H01L21/335 | 主分类号 | H01L29/80 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其在设于半导体衬底的规定部位上的有源区内至少制作一个MISFET，其中，上述MISFET包括：形成在上述有源区上的栅绝缘膜；形成在上述栅绝缘膜上的栅电极；形成在上述栅电极的两侧面上的一对侧壁绝缘膜；以及在比位于距上述半导体衬底的上述各侧壁绝缘膜向外仅0.2μm的部位靠里的区域内形成的一对源·漏区。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||