CIRCUITO DI RIDONANZA DI COLONNA PER UN DISPOSITIVO DI MEMORIA A SEMICONDUTTORE.

摘要

Un dispositivo di memoria a semiconduttore comprende un circuito di ridondanza di colonna includente un circuito di controllo ridondante di colonna per la ricezione di un segnale di indirizzo di riga e un blocco fusibili per la ricezione del segnale di uscita del circuito di controllo ridondante di colonna ed un circuito di controllo di selezione di blocco con un ingresso per ricevere il segnale di uscita del circuito di controllo ridondante di colonna ed una uscita connessa con la pluralità di circuiti a fusibile, il circuito di controllo di selezione comprendendo una pluralità di circuiti a fusibile ognuno avente almeno un fusibile connesso ad una data tensione statica, per cui una delle colonne connessa con una normale linea di selezione di colonna che si guasta è sostituita da una delle colonne di una matrice di celle di ricambio sotto la funzione di riparazione del circuito di controllo della selezione del blocco. La tensione statica è una tensione sorgente fornita al chip. La tensione statica data è per rendere inefficace uno specifico ingresso di segnale di indirizzo ai circuiti e fusibile.