| 主权项 |
1.一种具有萤光物质和吸气物质的场发射显示器阳极板的制作方法,系包含:预备一片透明的绝缘板;在该绝缘板的主要平面上涂布一层透明的导电层;在该导电层上用第一萤光物质及一种吸气物质的混合物,形成第一像素矩阵;在该导电层上用第二萤光物质及该吸气物质的混合物,形成第二像素矩阵,紧邻并对准于第一像素矩阵;在该导电层上用第三萤光物质及该吸气物质的混合物,形成第三像素矩阵,紧邻并对准于第二像素矩阵;烘烤完成该像素矩阵的绝缘板,完成该阳极板。2.如申请专利第1项的方法,其中该绝缘板由玻璃构成。3.如申请专利第1项的方法,其中该透明的导电层是由铟锡氧化物(ITO)构成。4.如申请专利第3项的的方法,其中该透明的导电层的厚度约在500至1000埃。5.如申请专利第1项的方法,其中该第一、第二、及第三萤光物质系红色、绿色、及蓝色萤光物质。6.如申请专利第1项的方法,其中该吸气物质是锆。7.如申请专利第1项的方法,其中该吸气物质是锆/铝合金。8.如申请专利第1项的方法,其中该吸气物质是钛。9.如申请专利第1项的方法,其中该吸气物质是锆、钒、铁所组成的合金。10.如申请专利第1项的方法,其中该吸气物质在萤光物质中的原子百分比为0.1至1.0%。11.如申请专利第1项的方法,其中形成该像素矩阵的步骤包含:预备混合悬浮浆,包含该萤光物质和吸气物质的微细粉末、聚乙烯醇(PVA)及重铬酸铝;将悬浮浆涂布在该透明导电层上,形成该萤光物质/吸气物质的复合层;以微影技术制定该萤光物质/吸气物质复合层的图案,形成该像素矩阵。12.如申请专利第1项的方法,其中该萤光物质/吸气物质的复合层厚约3.0至10.0微米。13.如申请专利第1项的方法,其中完成所有像素矩阵的绝缘板随即加以烘烤,温度400至450℃,持续约1到2小时。14.如申请专利第1项的方法,其中完成所有该像素矩阵的方法包含:预备混合悬浮浆,包含该萤光物质和吸气物质的微细粉末、聚乙烯醇(PVA)及重铬酸铝;用该悬浮浆网印该萤光物质/吸气物质混合物,而形成该像素矩阵。15.如申请专利第14项的方法,其中该萤光物质/吸气物质组成的像素矩阵厚约3.0至10.0微米。16.如申请专利第1项的方法,其中该阳极板同时也作为场发射显示器的观看萤幕,而该像素矩阵中的吸气物质在操作时,可自动地吸取自该场发射显示器空腔中外逸的发挥性气体。17.一种具有萤光物质和吸气物质的场发射显示器阳极板的制作方法,系包含:预备一片透明的绝缘板;在该绝缘板的主要平面上涂布一层透明的导电层;在该导电层上用第一萤光物质,形成第一像素矩阵;在该导电层上用第二萤光物质,形成第二像素矩阵,紧邻并对准于第一像素矩阵;在该导电层上用第三萤光物质,形成第三像素矩阵,紧邻并对准于第二像素矩阵;烘烤完成该像素矩阵和吸气物质区矩阵的绝缘板,完成该阳极板。18.如申请专利第17项的方法,其中该第一、第二、及第三萤光物质系红色、绿色、及蓝色萤光物质。19.如申请专利第17项的方法,其中该吸气物质是锆。20.如申请专利第17项的方法,其中该吸气物质是锆/铝合金。21.如申请专利第17项的方法,其中该吸气物质是钛。22.如申请专利第17项的方法,其中该吸气物质是锆、钒、铁所组成的合金。23.如申请专利第17项的方法,其中形成该像素矩阵的步骤包含:预备混合悬浮浆,包含该萤光物质的微细粉末、聚乙烯醇(PVA)及重铬酸铝;将悬浮浆涂布在该透明导电层上,形成该萤光物质层;以微影技术制定该萤光物质层的图案,形成该像素矩阵。24.如申请专利第23项的方法,其中该萤光物质层厚约3.0至10.0微米。25.如申请专利第23项的方法,其中完成所有像素矩阵的绝缘板随即加以烘烤;温度400至450℃持续约1到2小时。26.如申请专利第17项的方法,其中形成该像素矩阵的步骤包含:预备混合悬浮浆,包含该萤光物质的微细粉末、聚乙烯醇(PVA)及重铬酸铝;用该悬浮浆网印该萤光物质的图案,而形成该像素矩阵。27.如申请专利第26项的方法,其中该萤光物质层厚约3.0至10.0微米。28.如申请专利第17项的方法,其中形成该吸气物质区矩阵的方法包含:预备混合悬浮浆,包含该吸气物质的微细粉末及聚乙烯醇(PVA);用该悬浮浆在该透明导电层上网印该吸气物质,而形成该吸气物质区矩阵。29.如申请专利第17项的方法,其中形成该吸气物质区矩阵的步骤包含:将包含该吸气物质的微细粉末及聚乙烯醇(PVA)的悬浮浆涂布在该透明导电层上;以微影技术制定该吸气物质层的图案。30.一种具有萤光物质和吸气物质的场发射显示器阳极板的制作方法,系包含预备一片透明的绝缘板:在该绝缘板的主要平面上涂布一层透明的导电层;以光罩和蚀刻法将透明的导电层,制定为条状平行导电片的阵列;在导电片的阵列中选择每第三条导电片,涂布第一萤光物质及吸气物质的混合物,而在导电片的阵列上形成该混合物构成的第一像素阵列;在紧邻第一像素阵列的导电片阵列上,选择性地涂布第二萤光物质及吸气物质的混合物,而形成第二像素阵列;在其余的导电片阵列上,选择性地涂布第三萤光物质及吸气物质的混合物,而形成第三像素阵列;烘烤完成包含吸气物质的第一、第二、及第三像素矩阵的绝缘板,完成该阳极板。31.如申请专利第30项的方法,其中该透明的导电层是由铟锡氧化物(ITO)构成。32.如申请专利第30项的方法,其中该选择性涂布的步骤是在含有该萤光物质和吸气物质的混合悬浮液的电解质溶液中,以电泳电镀法进行。33.如申请专利第30项的方法,其中该吸气物质是锆、钒、铁所组成的合金。34.如申请专利第30项的方法,其中该第一、第二、及第三萤光物质系红色、绿色、及蓝色萤光物质。35.一种具有萤光物质和吸气物质的场发射显示器阳极板的制作方法,系包含:预备一片透明的绝缘板:在该绝缘板的主要平面上涂布一层透明的导电层;以光罩和蚀刻法将透明的导电层,制定为条状平行导电片的阵列;在导电片的阵列中选择每第四条导电片,涂布第一萤光物质,而在导电片的阵列上形成该第一萤光物质构成的第一像素阵列;在紧邻第一像素阵列的导电片阵列上,选择性地涂布第二萤光物质,而形成该第二萤光物质构成的第二像素阵列;在紧邻第二像素阵列的导电片阵列上,选择性地涂布第三萤光物质,而形成该第三萤光物质构成的第三像素阵列;在其余的导电片阵列上,选择性地涂布吸气物质;烘烤完成包含第一、第二、及第三像素矩阵列的绝缘板,完成该阳极板。36.如申请专利第35项的方法,其中该透明的导电层是由铟锡氧化物(ITO)构成 。37.如申请专利第35项的方法,其中该选择性涂布的步骤是在含有该萤光物质微细粉末的混合悬浮液的电解质溶液中,以电泳电镀法进行。38.如申请专利第35项的方法,其中该选择性涂布吸气物质的步骤是在含有该吸气物质微细粉末的混合悬浮液的电解质溶液中,以电泳电镀法进行。39.如申请专利第35项的方法,其中该吸气物质是锆、钒、铁所组成的合金。40.如申请专利第35项的方法,其中该第一、第二、及第三萤光物质系红色、绿色、及蓝色萤光物质。41.一种具有阳极板之平面场发射显示器,该阳极板系包含:一片透明的绝缘板;一层透明的导电层,在该绝缘板的主要平面上;第一像素矩阵,在该导电层上由第一萤光物质及一种吸气物质的混合物构成;第二像素矩阵,在该导电层上由第二萤光物质及该吸气物质的混合物构成,紧邻并对准于第一像素矩阵;第三像素矩阵,在该导电层上由第三萤光物质及该吸气物质的混合物构成,紧邻并对准于第二像素矩阵,形成该平面场发射显示器的阳极板。42.如申请专利第41项的平面场发射显示器,其中该阳极板的像素矩阵包含吸气物质,在操作时,可有效地吸取自该场发射显示器外逸的发挥性气体。43.如申请专利第41项的平面场发射显示器,其中该第一、第二、及第三萤光物质系红色、绿色、及蓝色萤光物质,形成该阳极板上的像素矩阵。44.一种具有萤光物质及吸气物质之平面场发射显示器的阳极板,系包含:一片透明的绝缘板;一透明的导电片的平行阵列,在该绝缘板的主要平面上;第一像素阵列,在该平行阵列的每第三条导电片上,由第一萤光物质及一种吸气物质的混合物构成;第二像素阵列,在紧邻第一像素阵列的导片上,由第二萤光物质及该吸气物质的混合物构成;第三像素阵列,在其余的导电片上,由第三萤光物质及该吸气物质的混合物构成,而形成该阳极板。45.如申请专利第44项的阳极板,其中该透明导电片是由铟锡氧化物(ITO)构成 。46.如申请专利第44项的阳极板,其中第一、第二、和第三像素阵列是在含有该萤光物质和微细粉末的混合悬浮液的电解质溶液中,以电泳电镀法制作完成。47.一种具有萤光物质及吸气物质之平面场发射显示器的阳极板,系包含:一片透明的绝缘板;一层透明的导电层,在该绝缘板的主要平面上;第一像素矩阵,在该导电层上由第一萤光物质构成;第二像素矩阵,在该导电层上由第二萤光物质构成,紧邻并对准于第一像素矩阵;第三像素矩阵,在该导电层上由第三萤光物质构成,紧邻并对准于第二像素矩阵;一吸气物质区矩阵,在该导电层上,紧邻并对准于第三像素矩阵,而形成该阳极板。48.如申请专利第47项的阳极板,其中该第一、第二、及第三萤光物质系红色、绿色、及蓝色萤光物质。49.如申请专利第47项的阳极板,其中该吸气物质是锆、钒、铁所组成的合金。图示简单说明:图1及图2是传统FED的横剖面。图3至图6是本发明第一实施例的横剖面图,说明以萤光物质及吸气物质的混合物制作像素的方法。图7至图10是本发明第二实施例的横剖面图,说明紧邻只含萤光物质的像素矩阵,制作吸气区矩阵的方法。图11至图14是本发明第三实施例的横剖面图,说明用电泳电镀法以萤光物质及吸气物质的混合物制作像素阵列的方法。图15至图16是本发明第四实施例的横剖面图,说明用电泳电镀法紧邻只含萤光物质的像素阵列,制作吸气区阵列的 |
