发明名称 ULTRASCHNELLE HOCHTEMPERATUR-GLEICHRICHTERDIODE, EINGEBAUT IN SILICIUM CARBID.
摘要
申请公布号 DE68921768(T2) 申请公布日期 1995.11.09
申请号 DE19896021768T 申请日期 1989.12.13
申请人 CREE RESEARCH, INC., DURHAM, N.C., US 发明人 EDMOND, JOHN, A., APEX, NC 27502, US
分类号 H01L29/24;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/24 主分类号 H01L29/24
代理机构 代理人
主权项
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