| 发明名称 |
Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition technique |
| 摘要 |
A method of producing epitaxial semiconductor monocrystal materials of silicon carbide with the silicon carbide crystals being grown by crystallizing sublimed silicon carbide vapors.
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| 申请公布号 |
US4147572(A) |
申请公布日期 |
1979.04.03 |
| 申请号 |
US19780881714 |
申请日期 |
1978.02.27 |
| 申请人 |
VODAKOV, JURY A.;MOKHOV, EVGENY N. |
发明人 |
VODAKOV, JURY A.;MOKHOV, EVGENY N. |
| 分类号 |
C30B23/02;H01L21/363;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/36 |
主分类号 |
C30B23/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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