| 主权项 |
1. 一种含有不纯物之气体状有机金属化合物之精制方法,其特征为,将含有不纯物气体状有机金属化合物与沈积在载体上之触媒予以接触,以去除该有机金属化合物中所含有之氧气不纯物直至氧气浓度低于0.1ppm者,且该触媒包括经氢还原处理而活性化之铜或镍化合物为主要成份,其中由BET方法所计测触媒之比表面积系在10至300㎡/g范围者;触媒中之铜含量以金属铜换算,系在25至80重量%范围者;触媒中之镍含量以镍金属换算,系在20至50重量%范围者。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中气体状有机金属化合物之金属系属于周期表Ib,IIa,IIb,IIIa,IVa,Va,VIa或Ⅷb族之元素者。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中气体状有机金属化合物之金属为锌,铝,镓,金或铟者。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中气体状有机金属化合物系用氢或如氮、氩之惰性气体加以稀释者。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中由BET方法所计测触媒之比表面积系在30至250㎡/g范围者。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中该铜化合物系氧化铜。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中该镍化合物系氧化镍。8. 如申请专利范围第1项之方法,其另包括使用除湿剂进 |
