可消除应力之场氧化层制法

摘要

本发明系关于一种可消除应力之场氧化层制法，尤指一种可消除传统氮化矽缺口边缘造成对场氧化层及其周边矽层内累积巨大应力现象所导致之问题，主要在矽层上予以形成氧化层、氮化矽层后，即经氮化矽均向性蚀刻步骤，使蚀刻缺口边缘下方预留有呈渐薄之氮化矽，此举即于该缺口位置实施高温氧化作业而令矽层形成场氧化层时，可藉该薄厚度之氮化矽降低对场氧化层边缘之应力现象并减少矽层内之缺陷，以及消除场氧化层边缘之鸟头（BIRD'S HEAD）不良现象，藉以提升产品之品质者。

主权项

1.一种可消除应力之场氧化层制法,包括:一于矽层上方成长一薄氧化层/沈积一氮化矽层及覆盖光阻之步骤;一透过乾式或湿式蚀刻氮化矽层及配合蚀刻窗口调整而形成一种向中央开口渐薄之薄层氮化矽;一对缺口位置植入挡止离子于矽层内部之步骤;一对氧化层实施高温氧化以形成场氧化层之步骤;一去除矽层上方氮化矽/氧化层之步骤;及一再氧化/蚀刻之步骤;藉该薄层氮化矽恰位在场氧化层成形区域之边缘位置,以减少对场氧化层之应力作用,使场氧化层较为平整,及令矽层中较无应力造成之缺陷者。2.如申请专利范围第1项所述之可消除应力之场氧化层制法,其中氮化矽蚀刻步骤中系采用均向性乾式蚀刻方式者。3.如申请专利范围第1项所述之可消除应力之场氧化层制法,其中氮化矽蚀刻步骤中,可配合氮化矽光罩调整其窗口大小,使位在光阻下方之氮化矽层呈现横向缩入之型式者。4.如申请专利范围第1项所述之可消除应力之场氧化层制法,其中可界于光阻与氮化矽层间更形成一氧化层,可先行蚀刻该氧化层以形成开口,再对氮化矽层进行湿式及光罩窗口大小调整之蚀刻方式,以使氮化矽形成一对应于中央开口呈现渐薄之薄层氮化矽者。图示简单说明:第一图:系传统制法之剖面示意图。第二图:系本发明之第一实施例制法剖面示意图。第三图:系本发明之第二实施例制法剖面示意图。