| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在欲被构图的底层上涂敷一层抗反射膜；在该抗反射膜上涂敷一层光致抗蚀膜，使用掩模对该光致抗蚀膜实施曝光、显影工艺，从而形成其尺寸略大于预期图形尺寸的第一光致抗蚀膜图形；腐蚀抗反射膜的裸露部位，从而形成抗反射膜图形；去掉第一光致抗蚀膜图形，在去掉第一光致抗蚀膜图形之后所得的结构的整个裸露表面上涂敷第二光致抗蚀膜；用掩模对第二光致抗蚀膜实施曝光、显影。 | ||
| 申请公布号 | CN1110005A | 申请公布日期 | 1995.10.11 |
| 申请号 | CN94118819.1 | 申请日期 | 1994.12.09 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 裵相满;文承灿 |
| 分类号 | H01L21/312;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/312 |
| 代理机构 | 北京市中原信达知识产权代理公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤：在欲被构图的底层上涂敷一层抗反射膜；在该抗反射膜上涂敷一层第一光致抗蚀膜，使用掩模对第一光致抗蚀膜进行暴光、显影，从而形成第一光致抗蚀膜图形；腐蚀抗反射膜的裸露部位，因而形成抗反射膜图形；去掉第一光致抗蚀膜图形，在去掉第一光致抗蚀膜图形之后所得结构的整个裸露表面上涂敷一层第二光致抗蚀膜；使用该掩模对第二光致抗蚀膜进行暴光、显影，从而形成第二光致抗蚀膜图形；腐蚀抗反射膜图形的裸露部位，然后腐蚀底层，从而形成底层图形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川郡 | ||