| 摘要 |
<p>Beschrieben wird eine Quantenschichtstruktur insbesondere für Laser oder Detektoren, mit mindestens vier Halbleiterschichten (S1, S2, S3, S4), wobei zwischen zwei äußeren Barrierenschichten (S1, S4) innere Schichten (S2, S3) angeordnet sind. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß ohne Anlegen einer elektrischen Spannung die Leitungsbandunterkante einer der inneren Schichten ein absolutes Minimum und die Valenzbandunterkante einer weiteren inneren Schicht ein absolutes Maximum aufweist und daß zumindest die beiden inneren Schichten, die das absolute Minimum und das absolute Maximum aufweisen, quantisierte Löcher- bzw. Elektronenzustände aufweisen.</p> |
