| 摘要 |
一种有一双极电晶体60及一Ｐ沟道金属氧化物半导体(PMOS)电晶体64形成于同一凹穴部位18之合并之双极化互补式金属氧化物半导体(BiCMOS)元件10。双极电晶体60由一射极电极30，基极部位26，及由凹穴部位18形成之集电极部位所构成。射极电极30藉厚氧化物24与基极部位26分开。钨矽化物层32覆盖射极电极30。PMOS电晶体64包含源极／漏极部位52及52a，闸电极40，及闸氧化物36。PMOS电晶体64可任选包含LDD部位44。源极／漏极部位52a与基极部位26接触。如果希望，可将射极电极30及闸电极40形成矽化物。 |
