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METODO PARA FORMAR UN RECUBRIMIENTO CONTINUO DE CARBURO AMORFO DE SILICONA PARA LAS SUPERFICIES DE ARTICULOS, MEDIANTE LA DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO DE PLASMA MEJORADO. EN EL METODO, EL VAPOR QUIMICO COMPRENDE UN CICLOBUTANO CONTENIENDO SILICONA, TAL COMO UN SILACICLOBUTANO O UN 1,3-DISILACICLOBUTANO. LOS RECUBRIMIENTOS FORMADOS CON ESTE METODO SON UTILES PARA APLICARLOS A LAS CELULAS SOLARES, PARA PREVENIR LA CORROSION DE LOS ELEMENTOS ELECTRONICOS, PARA FORMAR SUTRATOS DIELECTRICOS INTERMEDIOS ENTRE LOS SUSTRATOS DE METALIZACION DE LOS ELEMENTOS ELECTRONICOS, Y PARA HACER QUE LAS SUPERFICIES SEAN RESISTENTES A LA ABRASION.
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