半导体装置及其制造方法

摘要

在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后，在半导体基板的一主面和第一层布线层上边，在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边，在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后，在该分子层上，利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。

主权项

1、一种半导体装置，它具有半导体基板和，在上述半导体基板的一主面上部分地形成的第一层布线层和，在上述半导体基板的一主面和上述第一层布线层上，在整个面上形成的第一层硅氧化膜和。在上述第一层硅氧化膜上，整个面上形成的由具有排水基的分子构成的分子层和、用利用了臭氧与有机系硅进行反应的CVD法，在上述分子层上，在整个面上形成的第二层硅氧化膜和、在上述第二层硅氧化膜上，部分地形成的第二层布线层。