| 主权项 |
1. 一种侦测存于待测元件表面缺陷的方法,包括下列步骤: 将待测元件表面覆以粉末层(例如,藉由静电吸力方式为之); 藉由高频感热方式将该元件之表面区域加热; 藉着由辐射温度计所测得该元件表面放出的能量而侦测由粉末所覆之加热元件表面温度分布;以及 藉由元件表面的温度分布来侦测该元件缺陷。2. 如申请专利范围第1项的方法,其中覆于该待测元件表面的粉末是极薄的一层。3. 如申请专利范围第2项的方法,其中该元件表面覆以极薄一层沈积粉末,使该元件表面可以部份曝露。4.如申请专利范围第2项的方法,其中该元件表面以显微方式观察时可观察至系以一散斑形式曝露。5. 如申请专利范围第1项的方法,其中在该表面上分布的温度是以该辐射温度计于该高频感应加热处测得的。6. 如申请专利范围第1项的方法,更包括一在该元件表面上完成温度分布测量后之元件表面粉末去除的步骤。7. 如申请专利范围第1项的方法,其中该待测元件包括一非磁性物质,其中该高频感应热之电流穿透深度大于待测缺陷的深度,而且其中的缺陷是依缺陷存在部位温度馆于或高于没有缺陷存在部位温度而侦测出的。8. 一种侦测存于一待测元件表面缺陷的装置,包括:一用以传输一待测元件的传输线;一置于该传输线上的粉末沈积装置,用以把粉末覆于该元件表面上;一设于该传输线上的高频感热装置,用以加热该元件之表面区域;一用以测量覆以设粉末之被加热元件表面温度分布的辐射温度计;以及一利用该温度分布来侦测该元件表面缺陷的侦测装置。9. 如申请专利范围第8之装置,包括一设于该传输线上的粉末去除装置,用以移除该元件表面所沈积的粉末。10. 如申请专利范围第8之装置,其中该高频感热装置系于该元件插入处设置一加热线圈,且其中该加热线圈有一由内穿过向外形成的空穴,且该辐射温度计是经由该空穴测量位于该加热线圈内之元件表面温度分布。11.如申请专利范围第8之装置,其中该高频感热装置系于该元件插入处设置一加热线圈,且其中该辐射温度计测量位于该加热线圈内该元件表面的温度分布系由斜面方向通过介于该加热线圈及该插入的元件间的间隙而进行的。图示简单说明:第1图系概念性地显示缺陷侦测方法以及本发明一实施例的装置;第2图系说明第1图所示装置之概念透视图;第3图是第2图部分放大图;第4图是显示第2图中辐射温度计安排之图式;第5图是显示静电粉末覆层原理之图式;第6图是显示第5图细部之图式;第7图是说明粉末覆层之一实施例的图式;第8图是当粉末沈积厚度很薄以致元件表面部分曝露时,其效应说明图式;第9图系说明粉末沈积厚度足以完全薄盖表面的图式;第10图系显示元件之缺陷侦测过程之截面视图;第11图系显示元件上存在缺陷及由幅射温度计所测温度间关系图式;第12图系显示使用一线圈的例子图式,在其中心部分有一隙缝;第13图是第12图的前视图;第14图是第12图的侧视图;第15图是说明在加热线圈内所实施之元件温度测量例子的第1个实施例的图式;第16图是说明相同例子之第2个实施例图式;第17图系说明测量位于热线圈内元件温度例子之第一图的图式;第18图系说明相同例子之第2图的图式;第19图系说明对应于比较实施例及实施例1的元件表面状态之图式;第20图系显示比较实施例中缺陷侦测结果的图式;第21图系显示实施例1中缺陷侦测结果的图式;第22图系第1实施例中元件表面微观照片之草图;第23图系显示一传统缺陷控测方法的实施例透视图;第24图系第23图内之高频感热线圈的截面视图;第25图系说明缺陷位置及感应电流路径之关系图式;第26图系说明含有握柄记号之元件的能量放射图式;第27图系说明在元件表面区域内电流穿透深度小于缺陷深度之图式;以及 |
